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Si5485DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
T J = 150 °C
0.10
0.0 8
I D = 5.9 A
10
0.06
125 °C
0.04
1
T J = 25 °C
0.02
0.00
25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.3
40
1.2
I D = 250 μ A
1.1
1.0
30
20
0.9
10
0. 8
0.7
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS limited
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73779
S-81448-Rev. C, 23-Jun-08
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